发明申请
US20110013453A1 NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING CIRCUIT FORMED OF THIN FILM TRANSISTORS
有权
非易失性存储器件，包括形成薄膜晶体管的电路
- 专利标题： NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING CIRCUIT FORMED OF THIN FILM TRANSISTORS
- 专利标题（中）： 非易失性存储器件，包括形成薄膜晶体管的电路
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申请号： US12888974申请日： 2010-09-23
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公开(公告)号： US20110013453A1公开(公告)日： 2011-01-20
- 发明人: Taku OGURA , Tadaaki Yamauchi , Takashi Kubo
- 申请人： Taku OGURA , Tadaaki Yamauchi , Takashi Kubo
- 申请人地址： JP Kanagawa
- 专利权人： RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Kanagawa
- 优先权： JP2003-323358 20030916
- 主分类号： G11C16/06
- IPC分类号： G11C16/06
摘要：
A transistor is arranged for electrically isolating a sense amplifier formed of a thin film transistor from a data line electrically coupled to the sense amplifier. When a write driver drives the data line, a control signal is applied to isolate the data line from the sense amplifier.
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