发明申请
US20110037846A1 HIGH-RESOLUTION 3D IMAGING OF SINGLE SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
有权
单晶半导体纳米晶的高分辨率3D成像
- 专利标题： HIGH-RESOLUTION 3D IMAGING OF SINGLE SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
- 专利标题（中）： 单晶半导体纳米晶的高分辨率3D成像
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申请号： US12680150申请日： 2008-09-26
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公开(公告)号： US20110037846A1公开(公告)日： 2011-02-17
- 发明人: Hao Huang , Yu Yao , C. Forbes Dewey , Moungi G. Bawendi
- 申请人： Hao Huang , Yu Yao , C. Forbes Dewey , Moungi G. Bawendi
- 专利权人： Massachusetts Institute of Technology
- 当前专利权人： Massachusetts Institute of Technology
- 国际申请： PCT/US08/77874 WO 20080926
- 主分类号： H04N7/18
- IPC分类号： H04N7/18
摘要：
A method of imaging microscopic objects includes determining the relative depths of two or more semiconductor nanocrystals by analyzing images of the semiconductor nanocrystals at varying z-displacements.
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