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发明申请
US20110062510A1 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
3D非易失性存储器件及其制造方法

  • 专利标题： 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
  • 专利标题（中）： 3D非易失性存储器件及其制造方法
  • 申请号： US12881635
    申请日： 2010-09-14
  • 公开(公告)号： US20110062510A1
    公开(公告)日： 2011-03-17
  • 发明人: Han-Soo JOO
  • 申请人： Han-Soo JOO
  • 优先权： KR10-2009-0086580 20090914
  • 主分类号： H01L29/792
  • IPC分类号： H01L29/792 ;  H01L21/336
3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要：
A non-volatile memory device having a string of a plurality of memory cells that are serially coupled, wherein the string of memory cells includes a plurality of second channels of a pillar type, a first channel coupling lower end portions of the plurality of the second channels with each other, and a plurality of control gate electrodes surrounding the plurality of the second channels.
摘要（中）：

一种具有串行耦合的多个存储单元的串的非易失性存储器件，其中所述存储单元串包括多个柱状的第二通道，第一通道将所述多个第二通道的下端部分 通道，以及围绕多个第二通道的多个控制栅电极。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/792 ......带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管
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