发明申请
- 专利标题： Method for Fabricating a Charge Trapping Memory Device
- 专利标题（中）： 制造电荷俘获存储器件的方法
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申请号： US12962361申请日： 2010-12-07
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公开(公告)号： US20110073937A1公开(公告)日： 2011-03-31
- 发明人: Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
- 申请人： Yen-Hao Shih , Chi-Pin Lu , Jung-Yu Hsieh
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
- 当前专利权人： MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H01L29/792
- IPC分类号： H01L29/792
摘要：
A method for fabricating a charge trapping memory device includes providing a substrate; forming a first oxide layer on the substrate; forming a number of BD regions in the substrate; nitridizing the interface of the first oxide layer and the substrate via a process; forming a charge trapping layer on the first oxide layer; and forming a second oxide layer on the charge trapping layer.
公开/授权文献
- US08183618B2 Method for fabricating a charge trapping memory device 公开/授权日：2012-05-22
信息查询
IPC分类:
