发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
- 专利标题（中）： 半导体基板及其制造方法
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申请号： US12887005申请日： 2010-09-21
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公开(公告)号： US20110079793A1公开(公告)日： 2011-04-07
- 发明人: Hiroyuki SHIMADA
- 申请人： Hiroyuki SHIMADA
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： SEIKO EPSON CORPORATION
- 当前专利权人： SEIKO EPSON CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2009-230371 20091002
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; C30B25/18
摘要：
A semiconductor substrate includes: a substrate having a single crystal silicon on at least one surface thereof; a buffer layer that is provided on the single crystal silicon and has at least one cobalt silicide layer primarily containing cobalt silicide; and a silicon carbide single crystal film provided on the buffer layer.
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