发明申请
- 专利标题： METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）： 生产半导体器件的方法
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申请号： US12888488申请日： 2010-09-23
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公开(公告)号： US20110081746A1公开(公告)日： 2011-04-07
- 发明人: Akihiro Nomoto , Hideki Ono
- 申请人： Akihiro Nomoto , Hideki Ono
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： SONY CORPORATION
- 当前专利权人： SONY CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JPP2009-230234 20091002
- 主分类号： H01L51/40
- IPC分类号： H01L51/40
摘要：
A method for producing a semiconductor device includes the steps of forming an organic semiconductor layer on a substrate; forming a protective pattern on the organic semiconductor layer; and patterning the organic semiconductor layer by dissolving, in an organic solvent, or subliming the organic semiconductor layer using the protective pattern as a mask.
公开/授权文献
- US08623695B2 Method for producing semiconductor device 公开/授权日：2014-01-07
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IPC分类:
