发明申请
US20110099798A1 FORMATION OF A LITHIUM COMPRISING STRUCTURE ON A SUBSTRATE BY ALD
有权
通过ALD在基底上形成包含结构的锂
- 专利标题： FORMATION OF A LITHIUM COMPRISING STRUCTURE ON A SUBSTRATE BY ALD
- 专利标题（中）： 通过ALD在基底上形成包含结构的锂
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申请号： US12810897申请日： 2008-12-23
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公开(公告)号： US20110099798A1公开(公告)日： 2011-05-05
- 发明人: Ola Nilsen , Helmer Fjellvag , Mari Endresen Alnes , Titta Aaltonen , Matti Putkonen
- 申请人： Ola Nilsen , Helmer Fjellvag , Mari Endresen Alnes , Titta Aaltonen , Matti Putkonen
- 申请人地址： NO Olso
- 专利权人： UNIVERSITETET I OSLO
- 当前专利权人： UNIVERSITETET I OSLO
- 当前专利权人地址： NO Olso
- 优先权： NO20076696 20071228
- 国际申请： PCT/NO2008/000468 WO 20081223
- 主分类号： H01M10/04
- IPC分类号： H01M10/04 ; B05D5/12 ; C23C16/44 ; C23C16/52
摘要：
The present invention discloses a method for the formation of lithium comprising layer on a substrate using an atomic layer deposition method. The method comprises the sequential pulsing of a lithium precursor through a reaction chamber for deposition upon a substrate. Using further oxidising pulses and or other metal containing precursor pulses, an electrolyte suitable for use in thin film batteries may be manufactured.
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