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Invention Application
US20110115050A1 Semiconductor Device and Method of Forming IPD on Molded Substrate 有权
半导体器件和在成型基板上形成IPD的方法

  • Patent Title: Semiconductor Device and Method of Forming IPD on Molded Substrate
  • Patent Title (中): 半导体器件和在成型基板上形成IPD的方法
  • Application No.: US12621738
    Application Date: 2009-11-19
  • Publication No.: US20110115050A1
    Publication Date: 2011-05-19
  • Inventor: Yaojian Lin
  • Applicant: Yaojian Lin
  • Applicant Address: SG Singapore
  • Assignee: STATS CHIPPAC, LTD.
  • Current Assignee: STATS CHIPPAC, LTD.
  • Current Assignee Address: SG Singapore
  • Main IPC: H01L29/92
  • IPC: H01L29/92 ;  H01L21/02
Semiconductor Device and Method of Forming IPD on Molded Substrate
Abstract:
A semiconductor device is made by depositing an encapsulant material between first and second plates of a chase mold to form a molded substrate. A first conductive layer is formed over the molded substrate. A resistive layer is formed over the first conductive layer. A first insulating layer is formed over the resistive layer. A second insulating layer is formed over the first insulating layer, resistive layer, first conductive layer, and molded substrate. A second conductive layer is formed over the first insulating layer, resistive layer, and first conductive layer. A third insulating layer is formed over the second insulating layer and second conductive layer. A bump is formed over the second conductive layer. The first conductive layer, resistive layer, first insulating layer, and second conductive layer constitute a MIM capacitor. The second conductive layer is wound to exhibit inductive properties.
Abstract(Chinese):

通过在追逐模具的第一和第二板之间沉积密封材料以形成模制基底来制造半导体器件。 在模制的基底上形成第一导电层。 在第一导电层上形成电阻层。 在电阻层上形成第一绝缘层。 在第一绝缘层，电阻层，第一导电层和模制衬底之上形成第二绝缘层。 在第一绝缘层，电阻层和第一导电层上形成第二导电层。 在第二绝缘层和第二导电层上形成第三绝缘层。 在第二导电层上形成凸块。 第一导电层，电阻层，第一绝缘层和第二导电层构成MIM电容器。 第二导电层被卷绕以表现出感应特性。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
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