发明申请
- 专利标题： In-situ passivation methods to improve performance of polysilicon diode
- 专利标题（中）： 原位钝化方法提高多晶硅二极管的性能
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申请号： US12654927申请日： 2010-01-08
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公开(公告)号： US20110169126A1公开(公告)日： 2011-07-14
- 发明人: Xiying Chen , Kun Hou , Chuanbin Pan , Abhijit Bandyopadhyay , Yung-Tin Chen
- 申请人： Xiying Chen , Kun Hou , Chuanbin Pan , Abhijit Bandyopadhyay , Yung-Tin Chen
- 专利权人： SanDisk 3D LLC
- 当前专利权人： SanDisk 3D LLC
- 主分类号： H01L29/68
- IPC分类号： H01L29/68 ; H01L21/02 ; H01L21/329
摘要：
A nonvolatile memory cell including a storage element in series with a diode steering element. At least one interface of the diode steering element is passivated.
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