DOPED BUFFER LAYER

发明申请

US20110240115A1 DOPED BUFFER LAYER 审中-公开

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专利标题： DOPED BUFFER LAYER
申请号： US13051398

申请日： 2011-03-18
公开(公告)号： US20110240115A1

公开(公告)日： 2011-10-06
发明人: Benyamin Buller , Dale Roberts , Rui Shao
申请人： Benyamin Buller , Dale Roberts , Rui Shao
主分类号： H01L31/0224
IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L31/18 ; C23C14/34 ; C23C4/04 ; B22F7/04 ; B32B37/02 ; B05D5/12

DOPED BUFFER LAYER

摘要：

A solar cell with a doped buffer layer includes silicon and tin.

摘要（中）：

具有掺杂缓冲层的太阳能电池包括硅和锡。

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/02	.零部件
H01L31/0224	..电极