发明申请
- 专利标题： MEMORY SYSTEM
- 专利标题（中）： 记忆系统
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申请号： US12529192申请日： 2009-02-10
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公开(公告)号： US20110264859A1公开(公告)日： 2011-10-27
- 发明人: Junji Yano , Kosuke Hatsuda , Hidenori Matsuzaki
- 申请人： Junji Yano , Kosuke Hatsuda , Hidenori Matsuzaki
- 申请人地址： JP TOKYO
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： JP TOKYO
- 优先权： JP2008-051478 20080301
- 国际申请： PCT/JP09/52598 WO 20090210
- 主分类号： G06F12/08
- IPC分类号： G06F12/08
摘要：
A memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a data managing unit 120 is divided into a DRAM-layer managing unit 120a, a logical-NAND-layer managing unit 120b, and a physical-NAND-layer managing unit 120c to independently perform management of a DRAM layer, a logical NAND layer, and a physical NAND layer using the respective managing units to thereby perform efficient block management.
公开/授权文献
- US08209471B2 Memory system 公开/授权日：2012-06-26
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