发明申请
US20120007146A1 METHOD FOR FORMING STRAINED LAYER WITH HIGH GE CONTENT ON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
有权
在基板和半导体结构上形成具有高GE含量的应变层的方法
- 专利标题： METHOD FOR FORMING STRAINED LAYER WITH HIGH GE CONTENT ON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
- 专利标题（中）： 在基板和半导体结构上形成具有高GE含量的应变层的方法
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申请号： US13126730申请日： 2010-11-29
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公开(公告)号： US20120007146A1公开(公告)日： 2012-01-12
- 发明人: Jing Wang , Jun Xu , Lei Guo
- 申请人： Jing Wang , Jun Xu , Lei Guo
- 申请人地址： CN Beijing, P.R.
- 专利权人： Tsinghua University
- 当前专利权人： Tsinghua University
- 当前专利权人地址： CN Beijing, P.R.
- 优先权： CN201010212085 20100629
- 国际申请： PCT/CN10/79247 WO 20101129
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/20 ; H01L21/265
摘要：
A semiconductor structure and a method for forming the same are provided. The semiconductor structure may comprise a substrate (110); an insulation layer (120) formed on the substrate (110); a strained layer (130) formed on the insulation layer (120); a strained layer (140) with high Ge content formed on the strained layer (130); and a gate stack (160) formed on the strained layer (140) with high Ge content.
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