Semiconductor Integrated Circuit Device Including an Epitaxial Layer

发明申请

US20120049250A1 Semiconductor Integrated Circuit Device Including an Epitaxial Layer 审中-公开

标题翻译：包括外延层的半导体集成电路器件

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专利标题： Semiconductor Integrated Circuit Device Including an Epitaxial Layer
专利标题（中）： 包括外延层的半导体集成电路器件
申请号： US13191055

申请日： 2011-07-26
公开(公告)号： US20120049250A1

公开(公告)日： 2012-03-01
发明人: Sang-Jine Park , Bo-Un Yoon , Jeong-Nam Han , Jae-Jik Baek , Byung-Kwon Cho
申请人： Sang-Jine Park , Bo-Un Yoon , Jeong-Nam Han , Jae-Jik Baek , Byung-Kwon Cho
优先权： KR10-2010-0082485 20100825
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78

Semiconductor Integrated Circuit Device Including an Epitaxial Layer

摘要：

A semiconductor integrated circuit device includes a substrate. A gate structure is formed on the substrate and includes a gate insulating film and a gate electrode. A first sidewall spacer is formed on two sidewalls of the gate structure. A second sidewall spacer is formed on the first sidewall spacer. A recess compensation film is interposed between the second sidewall spacer and the substrate. An epitaxial layer is in contact with the recess compensation film.

摘要（中）：

半导体集成电路器件包括衬底。栅极结构形成在衬底上并且包括栅极绝缘膜和栅电极。第一侧壁间隔件形成在栅极结构的两个侧壁上。在第一侧壁间隔件上形成第二侧壁间隔物。在第二侧壁间隔件和基板之间设置凹陷补偿膜。外延层与凹部补偿膜接触。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的