发明申请
US20120064438A1 PHOTOMASK BLANK AND MAKING METHOD, PHOTOMASK, LIGHT PATTERN EXPOSURE METHOD, AND DESIGN METHOD OF TRANSITION METAL/SILICON BASE MATERIAL FILM
有权
光电薄膜和制作方法，光电子图案，光图案曝光方法，以及过渡金属/硅基材料薄膜的设计方法
- 专利标题： PHOTOMASK BLANK AND MAKING METHOD, PHOTOMASK, LIGHT PATTERN EXPOSURE METHOD, AND DESIGN METHOD OF TRANSITION METAL/SILICON BASE MATERIAL FILM
- 专利标题（中）： 光电薄膜和制作方法，光电子图案，光图案曝光方法，以及过渡金属/硅基材料薄膜的设计方法
-
申请号： US13228501申请日： 2011-09-09
-
公开(公告)号： US20120064438A1公开(公告)日： 2012-03-15
- 发明人: Hiroki YOSHIKAWA , Yukio Inazuki , Ryuji Koitabashi , Hideo Kaneko , Takashi Haraguchi , Yosuke Kojima , Tomohito Hirose
- 申请人： Hiroki YOSHIKAWA , Yukio Inazuki , Ryuji Koitabashi , Hideo Kaneko , Takashi Haraguchi , Yosuke Kojima , Tomohito Hirose
- 优先权： JP2010-203252 20100910
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; H01L21/31 ; G03F1/00
摘要：
A photomask blank has a film of a transition metal/silicon base material comprising a transition metal, silicon, oxygen and nitrogen, having an oxygen content of at least 3 atom %, and satisfying the formula: 4×CSi/100−6×CM/100>1 wherein CSi is a silicon content in atom % and CM is a transition metal content in atom %.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
