Semiconductor Manufacturing and Semiconductor Device with semiconductor structure

Invention Application

US20120068277A1 Semiconductor Manufacturing and Semiconductor Device with semiconductor structure 有权

Title translation: 半导体制造和半导体器件半导体结构

Patent Title: Semiconductor Manufacturing and Semiconductor Device with semiconductor structure
Patent Title (中): 半导体制造和半导体器件半导体结构
Application No.: US12885336

Application Date: 2010-09-17
Publication No.: US20120068277A1

Publication Date: 2012-03-22
Inventor: Thoralf KAUTZSCH , Boris BINDER , Frank HOFFMANN , Uwe RUDOLPH
Applicant: Thoralf KAUTZSCH , Boris BINDER , Frank HOFFMANN , Uwe RUDOLPH
Main IPC: H01L29/04
IPC: H01L29/04 ; H01L21/3205 ; H01L21/64

Abstract:

Embodiments related to semiconductor manufacturing and semiconductor devices with semiconductor structure are described and depicted.

Abstract(Chinese):

描述和描述了与半导体制造有关的实施例和具有半导体结构的半导体器件

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/04	..按其晶体结构区分的，例如多晶的、立方体的或晶面特殊取向的（以其物理缺陷为特征的入H01L 29/30）