发明申请
- 专利标题： IMAGE SENSOR WITH ANTI-REFLECTION LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）： 具有防反射层的图像传感器及其制造方法
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申请号： US13012067申请日： 2011-01-24
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公开(公告)号： US20120187282A1公开(公告)日： 2012-07-26
- 发明人: Tzu-Jui WANG , Hsiao-Hui TSENG , Wei-Cheng HSU , Dun-Nian YAUNG , Jen-Cheng LIU
- 申请人： Tzu-Jui WANG , Hsiao-Hui TSENG , Wei-Cheng HSU , Dun-Nian YAUNG , Jen-Cheng LIU
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H01L31/0216
- IPC分类号： H01L31/0216 ; B05D5/06
摘要：
An image sensor the image sensor comprising an absorption layer disposed on a silicon substrate, the absorption layer having at least one of SiGe or Ge, and an antireflection layer disposed directly thereon.
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