发明申请
- 专利标题： COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF RUTHENIUM
- 专利标题（中）： 用于低温沉积的组合物和方法
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申请号： US12866960申请日： 2010-01-19
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公开(公告)号： US20120216712A1公开(公告)日： 2012-08-30
- 发明人: Ajit Paranjpe , Vinayak V. Vats , Randhir Bubber
- 申请人： Ajit Paranjpe , Vinayak V. Vats , Randhir Bubber
- 国际申请： PCT/US2010/021375 WO 20100119
- 主分类号： C09D5/00
- IPC分类号： C09D5/00
摘要：
Composition and method for depositing ruthenium. A composition containing ruthenium tetroxide RuO4 is used as a precursor solution 608 to coat substrates 400 via ALD, plasma enhanced deposition, and/or CVD. Periodic plasma densification may be used.
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