公开(公告)号：US20120216712A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US12866960

申请日：2010-01-19

申请人： Ajit Paranjpe ,  Vinayak V. Vats ,  Randhir Bubber

发明人： Ajit Paranjpe ,  Vinayak V. Vats ,  Randhir Bubber

IPC分类号： C09D5/00

CPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56

摘要： Composition and method for depositing ruthenium. A composition containing ruthenium tetroxide RuO4 is used as a precursor solution 608 to coat substrates 400 via ALD, plasma enhanced deposition, and/or CVD. Periodic plasma densification may be used.

摘要翻译： 用于沉积钌的组合物和方法。 使用含有四氧化钌RuO 4的组合物作为前体溶液608，以经由ALD，等离子体增强沉积和/或CVD涂覆衬底400。 可以使用周期性等离子体致密化。