发明申请
- 专利标题： Method for Producing a Metal Layer on a Substrate and Device
- 专利标题（中）： 在基板和器件上生成金属层的方法
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申请号： US13110653申请日： 2011-05-18
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公开(公告)号： US20120292773A1公开(公告)日： 2012-11-22
- 发明人: Khalil Hosseini , Hans-Joachim Schulze
- 申请人： Khalil Hosseini , Hans-Joachim Schulze
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L21/78
摘要：
A method produces a metal layer on a semiconductor substrate. A metal layer is produced on the semiconductor substrate by depositing metal particles. The metal particles include cores made of a first metal material and shells surrounding the cores. The shells are made of a second metal material that is resistant to oxidation.
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