METHOD FOR FABRICATING SURROUNDING-GATE SILICON NANOWIRE TRANSISTOR WITH AIR SIDEWALLS

发明申请

US20120302014A1 METHOD FOR FABRICATING SURROUNDING-GATE SILICON NANOWIRE TRANSISTOR WITH AIR SIDEWALLS 有权

标题翻译：用于制造具有空气平台的环形硅纳米晶体管的方法

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专利标题： METHOD FOR FABRICATING SURROUNDING-GATE SILICON NANOWIRE TRANSISTOR WITH AIR SIDEWALLS
专利标题（中）： 用于制造具有空气平台的环形硅纳米晶体管的方法
申请号： US13384215

申请日： 2011-07-04
公开(公告)号： US20120302014A1

公开(公告)日： 2012-11-29
发明人: Ru Huang , Jing Zhuge , Jiewen Fan , Yujie Ai , Runsheng Wang , Xin Huang
申请人： Ru Huang , Jing Zhuge , Jiewen Fan , Yujie Ai , Runsheng Wang , Xin Huang
专利权人： Peking University
当前专利权人： Peking University
优先权： CN201110139058.0 20110526
国际申请： PCT/CN11/76805 WO 20110704
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336

METHOD FOR FABRICATING SURROUNDING-GATE SILICON NANOWIRE TRANSISTOR WITH AIR SIDEWALLS

摘要：

A method for fabricating a surrounding-gate silicon nanowire transistor with air sidewalls is provided. The method is compatible with the CMOS process; the introduced air sidewalls can reduce the parasitic capacitance effectively and increase the transient response characteristic of the device, thus being applicable to a high-performance logic circuit.

摘要（中）：

提供了一种制造具有空气侧壁的环形栅极硅纳米线晶体管的方法。该方法与CMOS工艺兼容; 引入的空气侧壁可以有效地减小寄生电容并增加器件的瞬态响应特性，从而适用于高性能逻辑电路。

公开/授权文献

US08563370B2 Method for fabricating surrounding-gate silicon nanowire transistor with air sidewalls 公开/授权日：2013-10-22

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的