发明申请
- 专利标题： FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）： 半导体器件的制造方法
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申请号： US13473817申请日： 2012-05-17
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公开(公告)号： US20120309207A1公开(公告)日： 2012-12-06
- 发明人: Koji AKIYAMA , Hirokazu Higashijima , Yoshitsugu Tanaka , Yasushi Akasaka , Koji Yamashita
- 申请人： Koji AKIYAMA , Hirokazu Higashijima , Yoshitsugu Tanaka , Yasushi Akasaka , Koji Yamashita
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2011-120851 20110530
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31
摘要：
A disclosed fabrication method of a semiconductor device includes steps of depositing a dielectric film on a semiconductor substrate; thermally treating the dielectric film; and irradiating an ionized gas cluster onto the thermally treated dielectric film.
公开/授权文献
- US08741786B2 Fabrication method of semiconductor device 公开/授权日：2014-06-03
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IPC分类:
