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发明申请
US20120322266A1 Methods of Forming Semiconductor Constructions 有权
形成半导体结构的方法

  • 专利标题： Methods of Forming Semiconductor Constructions
  • 专利标题（中）： 形成半导体结构的方法
  • 申请号： US13593373
    申请日： 2012-08-23
  • 公开(公告)号： US20120322266A1
    公开(公告)日： 2012-12-20
  • 发明人: Prashant Raghu
  • 申请人： Prashant Raghu
  • 申请人地址： US ID Boise
  • 专利权人： Micron Technology, Inc.
  • 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
  • 当前专利权人地址： US ID Boise
  • 主分类号： H01L21/306
  • IPC分类号： H01L21/306
Methods of Forming Semiconductor Constructions
摘要：
The invention includes methods in which silicon is removed from titanium-containing container structures with an etching composition having a phosphorus-and-oxygen-containing compound therein. The etching composition can, for example, include one or both of ammonium hydroxide and tetra-methyl ammonium hydroxide. The invention also includes methods in which titanium-containing whiskers are removed from between titanium-containing capacitor electrodes. Such removal can be, for example, accomplished with an etch utilizing one or more of hydrofluoric acid, ammonium fluoride, nitric acid and hydrogen peroxide.
摘要（中）：

本发明包括使用其中含有含磷和氧的化合物的蚀刻组合物从含钛容器结构中除去硅的方法。 蚀刻组合物可以例如包括氢氧化铵和四甲基氢氧化铵中的一种或两种。 本发明还包括从含钛电容器电极之间除去含钛晶须的方法。 这种去除可以例如通过使用氢氟酸，氟化铵，硝酸和过氧化氢中的一种或多种的蚀刻来实现。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
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