发明申请
- 专利标题： HAFNIUM TANTALUM OXIDE DIELECTRICS
- 专利标题（中）： 高锰氧化物电介质
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申请号： US13614059申请日： 2012-09-13
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公开(公告)号： US20130012031A1公开(公告)日： 2013-01-10
- 发明人: Kie Y. Ahn , Leonard Forbes
- 申请人： Kie Y. Ahn , Leonard Forbes
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 主分类号： H01L21/3105
- IPC分类号： H01L21/3105
摘要：
A dielectric layer containing a hafnium tantalum oxide film and a method of fabricating such a dielectric layer produce a dielectric layer for use in a variety of electronic devices. Embodiments include structures for capacitors, transistors, memory devices, and electronic systems with dielectric layers containing a hafnium tantalum oxide film structured as one or more monolayers.
公开/授权文献
- US08524618B2 Hafnium tantalum oxide dielectrics 公开/授权日：2013-09-03
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IPC分类:
