发明申请
- 专利标题： SI-GE LAMINATED THIN FILM AND INFRARED SENSOR USING SAME
- 专利标题（中）： SI-GE层压薄膜和使用相同的红外传感器
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申请号： US13643223申请日： 2011-03-25
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公开(公告)号： US20130037855A1公开(公告)日： 2013-02-14
- 发明人: Shoji Sekino , Shin Nakamura , Tsutomu Yoshitake , Akio Furukawa
- 申请人： Shoji Sekino , Shin Nakamura , Tsutomu Yoshitake , Akio Furukawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： NEC CORPORATION
- 当前专利权人： NEC CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2010-101692 20100427
- 国际申请： PCT/JP2011/058374 WO 20110325
- 主分类号： B32B7/02
- IPC分类号： B32B7/02 ; H01L31/028
摘要：
Provided is a Si—Ge laminated thin film including at least one Si layer and at least one Ge layer, which are alternately laminated on a substrate (1). A Si layer (31) and a Ge layer (22) each have a thickness in a range of 5 to 500 nm. The Si layer (31) is amorphous and only the Ge layer (22) is crystallized. An average crystallite size of Ge in the Ge layer (22) is 20 nm or less.
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