METHODS OF FORMING CHARGE STORAGE STRUCTURES INCLUDING ETCHING DIFFUSED REGIONS TO FORM RECESSES

发明申请

US20130040429A1 METHODS OF FORMING CHARGE STORAGE STRUCTURES INCLUDING ETCHING DIFFUSED REGIONS TO FORM RECESSES 有权

标题翻译：形成电荷储存结构的方法，包括蚀刻扩散区域形成

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专利标题： METHODS OF FORMING CHARGE STORAGE STRUCTURES INCLUDING ETCHING DIFFUSED REGIONS TO FORM RECESSES
专利标题（中）： 形成电荷储存结构的方法，包括蚀刻扩散区域形成
申请号： US13205316

申请日： 2011-08-08
公开(公告)号： US20130040429A1

公开(公告)日： 2013-02-14
发明人: Alex Schrinsky , Anish Khandekar , Pavan Aella , Niraj B. Rana
申请人： Alex Schrinsky , Anish Khandekar , Pavan Aella , Niraj B. Rana
申请人地址： US ID Boise
专利权人： Micron Technology, Inc.
当前专利权人： Micron Technology, Inc.
当前专利权人地址： US ID Boise
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/306

METHODS OF FORMING CHARGE STORAGE STRUCTURES INCLUDING ETCHING DIFFUSED REGIONS TO FORM RECESSES

摘要：

Methods are disclosed that include selectively etching diffused regions to form recesses in semiconductor material, and forming charge storage structures in the recesses. Additional embodiments are disclosed.

摘要（中）：

公开了包括选择性地蚀刻扩散区域以在半导体材料中形成凹槽的方法，以及在凹槽中形成电荷存储结构。公开了另外的实施例。

公开/授权文献

US08802525B2 Methods of forming charge storage structures including etching diffused regions to form recesses 公开/授权日：2014-08-12

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的