利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20130045596A1 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND POLISHING APPARATUS 审中-公开
半导体器件制造方法和抛光装置

  • 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND POLISHING APPARATUS
  • 专利标题（中）： 半导体器件制造方法和抛光装置
  • 申请号： US13428494
    申请日： 2012-03-23
  • 公开(公告)号： US20130045596A1
    公开(公告)日： 2013-02-21
  • 发明人: Hajime EDA , Yukiteru MATSUI
  • 申请人： Hajime EDA , Yukiteru MATSUI
  • 优先权： JP2011-179470 20110819
  • 主分类号： H01L21/306
  • IPC分类号： H01L21/306 ;  B24B29/00 ;  B24B51/00
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND POLISHING APPARATUS
摘要：
According to one embodiment, a semiconductor device manufacturing method is provided. In the semiconductor device manufacturing method, a process target film is formed on a semiconductor substrate, and the surface of the process target film is polished by a CMP method. The CMP method comprises heating a rotating polishing pad from a first temperature to a second temperature higher than the first temperature, and bringing the surface of the process target film into contact with the polishing pad heated to the second temperature.
摘要（中）：

根据一个实施例，提供一种半导体器件制造方法。 在半导体器件制造方法中，在半导体衬底上形成工艺靶膜，并且通过CMP方法对工艺靶膜的表面进行抛光。 CMP方法包括将旋转抛光垫从第一温度加热到高于第一温度的第二温度，并使加工目标薄膜的表面与加热到第二温度的抛光垫接触。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
0/0