发明申请
- 专利标题： HIGH ENDURANCE NON-VOLATILE STORAGE
- 专利标题（中）： 高耐久性非挥发性储存
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申请号： US13622045申请日： 2012-09-18
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公开(公告)号： US20130070530A1公开(公告)日： 2013-03-21
- 发明人: Jian Chen , Sergei Gorobets , Steven Sprouse , Tien-Chien Kuo , Yan Li , Seungpil Lee , Alex Mak , Deepanshu Dutta , Masaaki Higashitani
- 申请人： Jian Chen , Sergei Gorobets , Steven Sprouse , Tien-Chien Kuo , Yan Li , Seungpil Lee , Alex Mak , Deepanshu Dutta , Masaaki Higashitani
- 申请人地址： US TX Plano
- 专利权人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
- 当前专利权人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
- 当前专利权人地址： US TX Plano
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
A non-volatile storage system is disclosed that includes non-volatile memory cells designed for high endurance and lower retention than other non-volatile memory cells.
公开/授权文献
- US09361986B2 High endurance non-volatile storage 公开/授权日：2016-06-07