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发明申请
US20130099190A1 NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
非易失性存储器件及其制造方法

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要：
A diode may be foamed within a molding layer on a substrate. A conductive buffer pattern having a greater planar area than the diode may be on the diode and molding layer. An electrode structure may be on the conductive buffer pattern. A data storage pattern may be on the electrode structure. One lateral surface of the conductive buffer pattern may be vertically aligned with one lateral surface of the electrode structure.
摘要（中）：

二极管可以在基底上的模制层内发泡。 具有比二极管更大的平面面积的导电缓冲图案可以在二极管和模制层上。 电极结构可以在导电缓冲图案上。 数据存储模式可以在电极结构上。 导电缓冲图案的一个侧表面可以与电极结构的一个侧表面垂直对准。

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