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    Method of fabricating non-volatile memory device having small contact and related devices
    2.
    发明授权
    Method of fabricating non-volatile memory device having small contact and related devices 有权
    制造具有小接触和相关器件的非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US08785213B2

    公开(公告)日：2014-07-22

    申请号：US13494206

    申请日：2012-06-12

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

    摘要： A sacrificial pattern is formed to partially cover the pipe-shaped electrode. A sacrificial spacer is formed on a lateral surface of the sacrificial pattern. The sacrificial spacer extends across the pipe-shaped electrode. The sacrificial spacer has a first side and a second side opposite the first side. The sacrificial pattern is removed to expose the pipe-shaped electrode proximal to the first and second sides of the sacrificial spacer. The pipe-shaped electrode exposed on both sides of the sacrificial spacer may be primarily trimmed. The pipe-shaped electrode is retained under the sacrificial spacer to form a first portion, and a second portion facing the first portion. The second portion of the pipe-shaped electrode is secondarily trimmed. The sacrificial spacer is removed to expose the first portion of the pipe-shaped electrode. A data storage plug is formed on the first portion of the pipe-shaped electrode.

    摘要翻译： 形成牺牲图案以部分地覆盖管状电极。 在牺牲图案的侧表面上形成牺牲隔离物。 牺牲隔离物跨越管状电极延伸。 牺牲隔离物具有与第一侧相对的第一侧和第二侧。 消除牺牲图案以将管状电极暴露在牺牲间隔物的第一和第二侧附近。 暴露在牺牲隔离物两侧的管状电极可以主要被修整。 管状电极被保持在牺牲隔离物下方以形成第一部分，以及面向第一部分的第二部分。 管状电极的第二部分被二次修剪。 除去牺牲隔离物以露出管状电极的第一部分。 数据存储插头形成在管状电极的第一部分上。

    Methods of manufacturing phase-change memory devices
    3.
    发明授权
    Methods of manufacturing phase-change memory devices 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08551805B2

    公开(公告)日：2013-10-08

    申请号：US13469498

    申请日：2012-05-11

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L41/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/861 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a word line on a substrate and a phase-change memory cell on the word line and comprising a phase-change material pattern. The device also includes a non-uniform conductivity layer pattern comprising a conductive region on the phase-change material pattern and a non-conductive region contiguous therewith. The device further includes a bit line on the conductive region of the non-uniform conductivity layer pattern. In some embodiments, the phase-change memory cell may further include a diode on the word line, a heating electrode on the diode and wherein the phase-change material layer is disposed on the heating electrode. An ohmic contact layer and a contact plug may be disposed between the diode and the heating electrode.

    摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的字线和字线上的相变存储器单元，并且包括相变材料图案。 该装置还包括不均匀的导电层图案，其包括相变材料图案上的导电区域和与其相邻的非导电区域。 该器件还包括位于不均匀导电层图案的导电区上的位线。 在一些实施例中，相变存储单元还可以包括字线上的二极管，二极管上的加热电极，并且其中相变材料层设置在加热电极上。 欧姆接触层和接触插塞可以设置在二极管和加热电极之间。

    METHODS OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES
    5.
    发明申请
    METHODS OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20120322223A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：US13469498

    申请日：2012-05-11

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/861 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a word line on a substrate and a phase-change memory cell on the word line and comprising a phase-change material pattern. The device also includes a non-uniform conductivity layer pattern comprising a conductive region on the phase-change material pattern and a non-conductive region contiguous therewith. The device further includes a bit line on the conductive region of the non-uniform conductivity layer pattern. In some embodiments, the phase-change memory cell may further include a diode on the word line, a heating electrode on the diode and wherein the phase-change material layer is disposed on the heating electrode. An ohmic contact layer and a contact plug may be disposed between the diode and the heating electrode.

    摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的字线和字线上的相变存储器单元，并且包括相变材料图案。 该装置还包括不均匀的导电层图案，其包括相变材料图案上的导电区域和与其相邻的非导电区域。 该器件还包括位于不均匀导电层图案的导电区上的位线。 在一些实施例中，相变存储单元还可以包括字线上的二极管，二极管上的加热电极，并且其中相变材料层设置在加热电极上。 欧姆接触层和接触插塞可以设置在二极管和加热电极之间。

    Methods of forming multi-level cell of semiconductor memory
    9.
    发明申请
    Methods of forming multi-level cell of semiconductor memory 有权
    形成半导体存储器多级单元的方法

    公开(公告)号：US20100093130A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12587772

    申请日：2009-10-13

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Hyeong-Geun An ,  Soon-Oh Park ,  Dong-Ho Ahn ,  Young-Lim Park

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Hyeong-Geun An ,  Soon-Oh Park ,  Dong-Ho Ahn ,  Young-Lim Park

    IPC分类号： H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/141 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided is a method of forming a semiconductor memory cell in which in order to store two bits or more data in a memory cell, three or more bottom electrode contacts (BECs) and phase-change materials (GST) have a parallel structure on a single contact plug (CP) and set resistances are changed depending on thicknesses (S), lengths (L) or resistivities (ρ) of the three or more bottom electrode contacts, so that a reset resistance and three different set resistances enable data other than in set and reset states to be stored. Also, a method of forming a memory cell in which three or more phase-change materials (GST) have a parallel structure on a single bottom electrode contact, and the phase-change materials have different set resistances depending on composition ratio or type, so that four or more different resistances can be implemented is provided.

    摘要翻译： 提供了一种形成半导体存储单元的方法，其中为了在存储单元中存储两个或更多个数据，三个或更多个底部电极触点（BEC）和相变材料（GST）在单个存储单元上具有并联结构 接触插头（CP）和设定电阻根据三个或更多个底部电极触点的厚度（S），长度（L）或电阻率（＆rgr）而改变，因此复位电阻和三种不同的设定电阻使数据不能 在设置和复位状态下存储。 此外，形成其中三个或更多个相变材料（GST）在单个底部电极接触上具有平行结构的存储单元的方法，并且相变材料根据组成比或类型具有不同的设定电阻，因此 可以实现四个或更多个不同的电阻。

    Phase Change Memory Device and Method of Forming the Same
    10.
    发明申请
    Phase Change Memory Device and Method of Forming the Same 有权
    相变存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20080116437A1

    公开(公告)日：2008-05-22

    申请号：US11769532

    申请日：2007-06-27

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  In-Sun Park ,  Hyun-Seok Lim ,  Ki-Jong Lee ,  Nak-Hyun Lim

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  In-Sun Park ,  Hyun-Seok Lim ,  Ki-Jong Lee ,  Nak-Hyun Lim

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A phase change memory device includes a current restrictive element interposed between an electrically conductive element and a phase change material. The current restrictive element includes a plurality of overlapping film patterns, each of which having a respective first portion proximal to the conductive element and a second portion proximal to the phase change material. The second portions are configured and dimensioned to have higher resistance than the first portions.

    摘要翻译： 相变存储器件包括介于导电元件和相变材料之间的电流限制元件。 电流限制元件包括多个重叠的膜图案，每个重叠的膜图案具有靠近导电元件的相应的第一部分和靠近相变材料的第二部分。 第二部分的构造和尺寸设计成具有比第一部分更高的电阻。