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发明申请
US20130115721A1 EPITAXIAL FILM GROWTH IN RETROGRADE WELLS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
用于半导体器件的退火电极中的外延膜生长

  • 专利标题： EPITAXIAL FILM GROWTH IN RETROGRADE WELLS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
  • 专利标题（中）： 用于半导体器件的退火电极中的外延膜生长
  • 申请号： US13487878
    申请日： 2012-06-04
  • 公开(公告)号： US20130115721A1
    公开(公告)日： 2013-05-09
  • 发明人: Robert D. Clark
  • 申请人： Robert D. Clark
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
  • 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 主分类号： H01L21/8238
  • IPC分类号： H01L21/8238 ;  H01L21/66
EPITAXIAL FILM GROWTH IN RETROGRADE WELLS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要：
A method of fabricating a semiconductor device. A substrate is provided and includes a dielectric layer and a mask layer, which is patterned and developed. A plurality of trenches is created within the dielectric material by a retrograde etching process. The plurality of trenches is subsequently overfilled with a material by heteroepitaxial growth with aspect ratio trapping. The material includes at least one of germanium, a Group III-V compound, or a combination of two or more thereof. The overfilled plurality of trenches is then planarized.
摘要（中）：

一种制造半导体器件的方法。 提供了一种衬底，其包括被图案化和显影的电介质层和掩模层。 通过逆向蚀刻工艺在电介质材料内产生多个沟槽。 多个沟槽随后通过具有纵横比捕获的异质外延生长而用材料过度填充。 该材料包括锗，III-V族化合物或其两种或更多种的组合中的至少一种。 然后将过满的多个沟槽平坦化。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
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