发明申请
- 专利标题： Methods for Atomic Layer Etching
- 专利标题（中）： 原子层蚀刻方法
-
申请号： US13307524申请日： 2011-11-30
-
公开(公告)号： US20130137267A1公开(公告)日： 2013-05-30
- 发明人: Mei Chang , Joseph Yudovsky
- 申请人： Mei Chang , Joseph Yudovsky
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302
摘要：
Provided are methods of etching a substrate using atomic layer deposition apparatus. Atomic layer deposition apparatus including a gas distribution plate with a thermal element are discussed. The thermal element is capable of locally changing the temperature of a portion of the surface of the substrate to vaporize an etch layer deposited on the substrate.
公开/授权文献
- US08633115B2 Methods for atomic layer etching 公开/授权日：2014-01-21
信息查询
IPC分类:
