发明申请
US20130140503A1 PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
审中-公开
用于形成非晶金属氧化物半导体层，非晶金属氧化物半导体层的前体组合物，其制造方法和半导体器件
- 专利标题： PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）： 用于形成非晶金属氧化物半导体层，非晶金属氧化物半导体层的前体组合物，其制造方法和半导体器件
-
申请号： US13811586申请日： 2011-07-26
-
公开(公告)号： US20130140503A1公开(公告)日： 2013-06-06
- 发明人: Yoshiomi Hiroi , Shinichi Maeda
- 申请人： Yoshiomi Hiroi , Shinichi Maeda
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人： NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2010-166778 20100726
- 国际申请： PCT/JP2011/066950 WO 20110726
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; H01L21/02
摘要：
The invention provides a precursor composition for forming an amorphous metal oxide semiconductor layer, containing a metal salt, a primary amide, and a water-based solution. An amorphous metal oxide semiconductor layer is formed by use of the composition.