FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH NARROW BANDGAP SOURCE AND DRAIN REGIONS AND METHOD OF FABRICATION

发明申请

US20130146945A1 FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH NARROW BANDGAP SOURCE AND DRAIN REGIONS AND METHOD OF FABRICATION 有权

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专利标题： FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH NARROW BANDGAP SOURCE AND DRAIN REGIONS AND METHOD OF FABRICATION
申请号： US13752272

申请日： 2013-01-28
公开(公告)号： US20130146945A1

公开(公告)日： 2013-06-13
发明人: Robert S. Chau , Suman Datta , Jack Kavalieros , Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Matthew Metz
申请人： Robert S. Chau , Suman Datta , Jack Kavalieros , Justin K. Brask , Mark L. Doczy , Matthew Metz
主分类号： H01L29/267
IPC分类号： H01L29/267

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH NARROW BANDGAP SOURCE AND DRAIN REGIONS AND METHOD OF FABRICATION

摘要：

A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

公开/授权文献

US08664694B2 Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication 公开/授权日：2014-03-04

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的
H01L29/26	...除掺杂材料或其他杂质外，包括有包含在H01L29/16，H01L29/18，H01L29/20，H01L29/22，H01L29/24各组中两组或更多个组内的元素的
H01L29/267	....在不同半导体区域中的