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发明申请
US20130265086A1 Semiconductor Devices Including a Guard Ring and Related Semiconductor Systems 有权
包括保护环和相关半导体系统的半导体器件

  • 专利标题： Semiconductor Devices Including a Guard Ring and Related Semiconductor Systems
  • 专利标题（中）： 包括保护环和相关半导体系统的半导体器件
  • 申请号： US13711156
    申请日： 2012-12-11
  • 公开(公告)号： US20130265086A1
    公开(公告)日： 2013-10-10
  • 发明人: Hoon Chang , Dong-Eun Jang
  • 申请人： Hoon Chang , Dong-Eun Jang
  • 优先权： KR10-2012-0036187 20120406
  • 主分类号： H01L29/78
  • IPC分类号： H01L29/78 ;  H03K17/687 ;  H01L29/06
Semiconductor Devices Including a Guard Ring and Related Semiconductor Systems
摘要：
Semiconductor devices are provided. The semiconductor devices may include a substrate and a transistor on the substrate. The semiconductor devices may include a first guard ring of first conductivity type in the substrate adjacent the transistor. The semiconductor devices may include a second guard ring of second conductivity type opposite the first conductivity type in the substrate adjacent the first guard ring. Related semiconductor systems are also provided.
摘要（中）：

提供半导体器件。 半导体器件可以包括衬底和衬底上的晶体管。 半导体器件可以包括在与晶体管相邻的衬底中的第一导电类型的第一保护环。 半导体器件可以包括与邻近第一保护环的衬底中的第一导电类型相反的第二导电类型的第二保护环。 还提供了相关半导体系统。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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