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发明申请
US20130280913A1 COMPOSITION FOR FORMING A RESIST UNDERLAYER FILM INCLUDING HYDROXYL GROUP-CONTAINING CARBAZOLE NOVOLAC RESIN 有权
用于形成耐下层膜的组合物，包括含有羟基的含羧基芳香酚醛树脂

COMPOSITION FOR FORMING A RESIST UNDERLAYER FILM INCLUDING HYDROXYL GROUP-CONTAINING CARBAZOLE NOVOLAC RESIN
摘要：
There is provided a composition for forming a resist underlayer film having heat resistance for use in a lithography process in semiconductor device production. A composition for forming a resist underlayer film, comprising a polymer that contains a unit structure of formula (1) and a unit structure of formula (2) in a proportion of 3 to 97:97 to 3 in molar ratio: A method for producing a semiconductor device, including the steps of: forming an underlayer film using the composition for forming a resist underlayer film on a semiconductor substrate; forming a hard mask on the underlayer film; further forming a resist film on the hard mask; forming a patterned resist film and developing; etching the hard mask according to the patterned resist film; etching the underlayer film according to the patterned hard mask; and processing the semiconductor substrate according to the patterned underlayer film.
摘要（中）：

提供了一种用于形成半导体器件制造中用于光刻工艺的具有耐热性的抗蚀剂下层膜的组合物。 一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其含有以式（1）的单元结构的聚合物和式（2）的单元结构，其比例为3至97:97至3的摩尔比。 半导体器件，包括以下步骤：使用在半导体衬底上形成抗蚀剂下层膜的组合物形成下层膜; 在下层膜上形成硬掩模; 进一步在硬掩模上形成抗蚀剂膜; 形成图案化的抗蚀剂膜并显影; 根据图案化的抗蚀剂膜蚀刻硬掩模; 根据图案化的硬掩模蚀刻下层膜; 以及根据图案化的下层膜处理半导体衬底。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/308 .......应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）
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