发明申请
- 专利标题： ETCHING POLYSILICON
- 专利标题（中）： 蚀刻多晶硅
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申请号： US13624272申请日： 2012-09-21
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公开(公告)号： US20140087551A1公开(公告)日： 2014-03-27
- 发明人: Jerome A. IMONIGIE , Prashant Raghu
- 申请人： Jerome A. IMONIGIE , Prashant Raghu
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 主分类号： C09K13/08
- IPC分类号： C09K13/08 ; H01L21/336
摘要：
Methods and compositions for etching polysilicon including aqueous compositions containing nitric acid and ammonium fluoride, and apparatus formed thereby.
公开/授权文献
- US09012318B2 Etching polysilicon 公开/授权日：2015-04-21
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