发明申请
- 专利标题： EXTREME HIGH MOBILITY CMOS LOGIC
- 专利标题（中）： 极高的移动性CMOS逻辑
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申请号： US14302371申请日： 2014-06-11
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公开(公告)号： US20140291615A1公开(公告)日： 2014-10-02
- 发明人: Suman Datta , Mantu K. Hudait , Mark L. Doczy , Jack T. Kavalieros , Majumdar Amian , Justin K. Brask , Been-Yih Jin , Matthew V. Metz , Robert S. Chau
- 申请人： Suman Datta , Mantu K. Hudait , Mark L. Doczy , Jack T. Kavalieros , Majumdar Amian , Justin K. Brask , Been-Yih Jin , Matthew V. Metz , Robert S. Chau
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L29/15
摘要：
A CMOS device includes a PMOS transistor with a first quantum well structure and an NMOS device with a second quantum well structure. The PMOS and NMOS transistors are formed on a substrate.
公开/授权文献
- US09548363B2 Extreme high mobility CMOS logic 公开/授权日：2017-01-17
信息查询
IPC分类:
