发明申请
- 专利标题： Single-Crystalline Aluminum Nitride Substrate and a Manufacturing Method Thereof
- 专利标题（中）： 单晶氮化铝基板及其制造方法
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申请号： US14366020申请日： 2011-12-22
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公开(公告)号： US20140346638A1公开(公告)日： 2014-11-27
- 发明人: Akinori Koukitu , Yoshinao Kumagai , Toru Nagashima , Yuki Hiraren
- 申请人： Akinori Koukitu , Yoshinao Kumagai , Toru Nagashima , Yuki Hiraren
- 申请人地址： JP Yamaguchi JP Tokyo
- 专利权人： TOKUYAMA CORPORATION,C/O NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO
- 当前专利权人： TOKUYAMA CORPORATION,C/O NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO
- 当前专利权人地址： JP Yamaguchi JP Tokyo
- 国际申请： PCT/JP2011/079838 WO 20111222
- 主分类号： H01L33/34
- IPC分类号： H01L33/34 ; H01L33/00
摘要：
The present invention relates to a single-crystalline aluminum nitride wherein a carbon concentration is 1×1014 atoms/cm3 or more and less than 3×1017 atoms/cm3, a chlorine concentration is 1×1014 to 1×1017 atoms/cm3, and an absorption coefficient at 265 nm wavelength is 40 cm−1 or less.
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