METHOD OF FABRICATING METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR TUNNELING CONTACTS USING CONFORMAL DEPOSITION AND THERMAL GROWTH PROCESSES

发明申请

US20150076571A1 METHOD OF FABRICATING METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR TUNNELING CONTACTS USING CONFORMAL DEPOSITION AND THERMAL GROWTH PROCESSES 审中-公开

标题翻译：使用合适的沉积和热膨胀过程制备金属绝缘体 - 半导体隧道接触的方法

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专利标题： METHOD OF FABRICATING METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR TUNNELING CONTACTS USING CONFORMAL DEPOSITION AND THERMAL GROWTH PROCESSES
专利标题（中）： 使用合适的沉积和热膨胀过程制备金属绝缘体 - 半导体隧道接触的方法
申请号： US14552959

申请日： 2014-11-25
公开(公告)号： US20150076571A1

公开(公告)日： 2015-03-19
发明人: NILOY MUKHERJEE , GILBERT DEWEY , MATTHEW V. METZ , JACK T. KAVALIEROS , ROBERT S. CHAU
申请人： Intel Corporation
申请人地址： US CA Santa Clara
专利权人： INTEL CORPORATION
当前专利权人： INTEL CORPORATION
当前专利权人地址： US CA Santa Clara
主分类号： H01L29/51
IPC分类号： H01L29/51 ; H01L29/78

METHOD OF FABRICATING METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR TUNNELING CONTACTS USING CONFORMAL DEPOSITION AND THERMAL GROWTH PROCESSES

摘要：

A contact to a source or drain region. The contact has a conductive material, but that conductive material is separated from the source or drain region by an insulator.

摘要（中）：

与源极或漏极区的接触。接触件具有导电材料，但是导电材料通过绝缘体与源极或漏极区域分离。

公开/授权文献

US09437706B2 Method of fabricating metal-insulator-semiconductor tunneling contacts using conformal deposition and thermal growth processes 公开/授权日：2016-09-06

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的
H01L29/43	..以形成材料为特征的
H01L29/49	...金属绝缘体半导体电极
H01L29/51	....与其相关的绝缘材料