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Invention Application
US20150137316A1 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A RESISTOR AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF 有权
包括电阻器的半导体器件及其形成方法

  • Patent Title: SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A RESISTOR AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF
  • Patent Title (中): 包括电阻器的半导体器件及其形成方法
  • Application No.: US14602940
    Application Date: 2015-01-22
  • Publication No.: US20150137316A1
    Publication Date: 2015-05-21
  • Inventor: Alexandru Romanescu
  • Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.
  • Main IPC: H01L29/8605
  • IPC: H01L29/8605
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A RESISTOR AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF
Abstract:
A semiconductor structure includes a substrate and a resistor provided over the substrate. The resistor includes a first material layer, a second material layer, a first contact structure and a second contact structure. The first material layer includes at least one of a metal and a metal compound. The second material layer includes a semiconductor material. The second material layer is provided over the first material layer and includes a first sub-layer and a second sub-layer. The second sub-layer is provided over the first sub-layer. The first sub-layer and the second sub-layer are differently doped. Each of the first contact structure and the second contact structure provides an electrical connection to the second sub-layer of the second material layer.
Abstract(Chinese):

半导体结构包括衬底和设置在衬底上的电阻器。 电阻器包括第一材料层，第二材料层，第一接触结构和第二接触结构。 第一材料层包括金属和金属化合物中的至少一种。 第二材料层包括半导体材料。 第二材料层设置在第一材料层上并且包括第一子层和第二子层。 第二子层设置在第一子层上。 第一子层和第二子层是不同的掺杂的。 第一接触结构和第二接触结构中的每一个提供到第二材料层的第二子层的电连接。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/8605 ...带有PN结的电阻器
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