发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
- 专利标题（中）： 半导体存储器件
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申请号： US14641746申请日： 2015-03-09
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公开(公告)号： US20150263125A1公开(公告)日： 2015-09-17
- 发明人: Masaya TERAI , Tsukasa TADA , Hideyuki NISHIZAWA , Shigeki HATTORI , Koji ASAKAWA
- 申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 申请人地址： JP Minato-ku
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Minato-ku
- 优先权： JP2014-054068 20140317
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H01L27/115 ; H01L29/792
摘要：
A nonvolatile semiconductor memory device includes a semiconductor layer, a control gate electrode, and an organic molecular layer provided between the semiconductor layer and the control gate electrode and having an organic molecule including a porphyrin structure with oxymetal or chlorometal at the center.
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