发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
- 专利标题（中）： 半导体器件及其制造方法
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申请号： US14641775申请日： 2015-03-09
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公开(公告)号： US20150270354A1公开(公告)日： 2015-09-24
- 发明人: Tatsuo SHIMIZU , Takashi Shinohe
- 申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 申请人地址： JP Minato-ku
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Minato-ku
- 优先权： JP2014-059197 20140320
- 主分类号： H01L29/16
- IPC分类号： H01L29/16 ; H01L21/283 ; H01L21/265 ; H01L29/167 ; H01L29/36
摘要：
A semiconductor device of an embodiment includes a p-type SiC layer; a SiC region provided on the p-type SiC layer and containing H (hydrogen) or D (deuterium) in an amount of 1×1018 cm−3 or more and 1×1022 cm−3 or less; and a metal layer provided on the SiC region.
公开/授权文献
- US09601581B2 Semiconductor device and method for producing the same 公开/授权日：2017-03-21
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IPC分类:
