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US20150295051A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
半导体器件

SEMICONDUCTOR DEVICE
Abstract:
A semiconductor device (100, 100′, 100″) and a method for manufacturing a semiconductor device (100, 100′, 100″). The semiconductor device (100, 100′, 100″) includes a substrate (104, 106), a GaN layer (112), and an AlGaN layer (114). The GaN layer (112) is located between the substrate (104, 106) and the AlGaN layer (114). The device further includes at least one contact (130, 132, 134), comprising a central portion (150) and an edge portion (152), and a passivation layer (160) located at least between the edge portion (152) of the contact (130, 132, 134) and the AlGaN layer (114). The edge portion (152) is spaced apart from an upper surface of the passivation layer (160). The edge portion (152) may be spaced apart from the passivation layer (160) by a further layer (170) or by an air gap (172).
Abstract(Chinese):

半导体器件（100,100'，100“）和半导体器件（100,100'，100”）的制造方法。 半导体器件（100,100'，100“）包括衬底（104,106），GaN层（112）和AlGaN层（114）。 GaN层（112）位于衬底（104,106）和AlGaN层（114）之间。 所述装置还包括至少一个包括中心部分（150）和边缘部分（152）的触点（130,132,134），以及至少位于所述边缘部分（152）的边缘部分（152）之间的钝化层 接触（130,132,134）和AlGaN层（114）。 边缘部分（152）与钝化层（160）的上表面间隔开。 边缘部分（152）可以通过另外的层（170）或气隙（172）与钝化层（160）间隔开。

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