公开(公告)号：US09331155B2

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：US14249108

申请日：2014-04-09

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Johannes Donkers ,  Hans Broekman ,  Stephan Heil ,  Mark De Keijser ,  Cecilia van der Schaar

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/205 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: Disclosed is a semiconductor device comprising at least one active layer (14, 16) on a substrate (10) and a first contact (24, 26, 28) to the at least one active layer, the first contact comprising a metal in contact with the at least one active layer and a titanium tungsten nitride (TiW(N)) layer (30) on the metal. A method of manufacturing such a semiconductor device is also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括在衬底（10）上的至少一个有源层（14,16）和至少一个有源层的第一接触（24,26,28），所述第一接触包括与 所述至少一个有源层和所述金属上的氮化钨（TiW（N））层（30）。 还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：US09147732B2

公开(公告)日：2015-09-29

申请号：US13887065

申请日：2013-05-03

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Johannes Theodorus Marinus Donkers ,  Stephan Heil ,  Romain Delhougne ,  Hans Broekman

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431

Abstract: Disclosed is a semiconductor device comprising a substrate (10); at least one semiconducting layer (12) comprising a nitride of a group 13 element on said substrate; and an ohmic contact (20) on the at least one semiconducting layer, said ohmic contact comprising a silicon-comprising portion (22) on the at least one semiconducting layer and a metal portion (24) adjacent to and extending over said silicon-comprising portion, the metal portion comprising titanium and a further metal. A method of manufacturing such a semiconductor device is also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种包括衬底（10）的半导体器件; 至少一个半导体层（12），包括在所述衬底上的第13族元素的氮化物; 和在所述至少一个半导体层上的欧姆接触（20），所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分（22）和与所述至少一个半导体层相邻并在其上延伸的金属部分（24） 部分，金属部分包含钛和另一种金属。 还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20150295051A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：US14668154

申请日：2015-03-25

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers ,  Hans Broekman

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: A semiconductor device (100, 100′, 100″) and a method for manufacturing a semiconductor device (100, 100′, 100″). The semiconductor device (100, 100′, 100″) includes a substrate (104, 106), a GaN layer (112), and an AlGaN layer (114). The GaN layer (112) is located between the substrate (104, 106) and the AlGaN layer (114). The device further includes at least one contact (130, 132, 134), comprising a central portion (150) and an edge portion (152), and a passivation layer (160) located at least between the edge portion (152) of the contact (130, 132, 134) and the AlGaN layer (114). The edge portion (152) is spaced apart from an upper surface of the passivation layer (160). The edge portion (152) may be spaced apart from the passivation layer (160) by a further layer (170) or by an air gap (172).

Abstract translation: 半导体器件（100,100'，100“）和半导体器件（100,100'，100”）的制造方法。 半导体器件（100,100'，100“）包括衬底（104,106），GaN层（112）和AlGaN层（114）。 GaN层（112）位于衬底（104,106）和AlGaN层（114）之间。 所述装置还包括至少一个包括中心部分（150）和边缘部分（152）的触点（130,132,134），以及至少位于所述边缘部分（152）的边缘部分（152）之间的钝化层 接触（130,132,134）和AlGaN层（114）。 边缘部分（152）与钝化层（160）的上表面间隔开。 边缘部分（152）可以通过另外的层（170）或气隙（172）与钝化层（160）间隔开。

公开(公告)号：US20140306232A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14249108

申请日：2014-04-09

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Johannes DONKERS ,  Hans Broekman ,  Stephan HEIL ,  Mark DE KEIJSER ,  Cecilia van der Schaar

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: Disclosed is a semiconductor device comprising at least one active layer (14, 16) on a substrate (10) and a first contact (24, 26, 28) to the at least one active layer, the first contact comprising a metal in contact with the at least one active layer and a titanium tungsten nitride (TiW(N)) layer (30) on the metal. A method of manufacturing such a semiconductor device is also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括在衬底（10）上的至少一个有源层（14,16）和至少一个有源层的第一接触（24,26,28），所述第一接触包括与 所述至少一个有源层和所述金属上的氮化钨（TiW（N））层（30）。 还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20130299846A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13887065

申请日：2013-05-03

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Johannes Theodorus Marinus Donkers ,  Stephan Heil ,  Romain Delhougne ,  Hans Broekman

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431

Abstract: Disclosed is a semiconductor device comprising a substrate (10); at least one semiconducting layer (12) comprising a nitride of a group 13 element on said substrate; and an ohmic contact (20) on the at least one semiconducting layer, said ohmic contact comprising a silicon-comprising portion (22) on the at least one semiconducting layer and a metal portion (24) adjacent to and extending over said silicon-comprising portion, the metal portion comprising titanium and a further metal. A method of manufacturing such a semiconductor device is also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种包括衬底（10）的半导体器件; 至少一个半导体层（12），包括在所述衬底上的第13族元素的氮化物; 和在所述至少一个半导体层上的欧姆接触（20），所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分（22）和与所述至少一个半导体层相邻并在其上延伸的金属部分（24） 部分，金属部分包含钛和另一种金属。 还公开了制造这种半导体器件的方法。