发明申请
- 专利标题： METHOD FOR PRODUCING SiC SUBSTRATE
- 专利标题（中）： SiC基板的制造方法
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申请号： US14648730申请日： 2013-11-27
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公开(公告)号： US20150303050A1公开(公告)日： 2015-10-22
- 发明人: Yuzo SASAKI , Kenji SUZUKI
- 申请人： SHOWA DENKO K.K.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： SHOWA DENKO K.K.
- 当前专利权人： SHOWA DENKO K.K.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2012-271578 20121212
- 国际申请： PCT/JP2013/081897 WO 20131127
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L29/16
摘要：
A method of manufacturing a SiC substrate of the invention includes at least an oxide film-forming process of forming an oxide film (10) to cover a surface (1a) of the SiC substrate (1); and a planarization process of polishing the SiC substrate (1) from an oxide film side (10) in accordance with a CMP method so as to remove the oxide film (10), and of polishing the surface (1a) of the SiC substrate (1) to planarize the surface (1a).
公开/授权文献
- US09502230B2 Method for producing SiC substrate 公开/授权日：2016-11-22
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IPC分类:
