PHOTODETECTOR CAPABLE OF DETECTING LONG WAVELENGTH RADIATION

Invention Application

US20150333211A1 PHOTODETECTOR CAPABLE OF DETECTING LONG WAVELENGTH RADIATION 审中-公开

Title translation: 检测长波长辐射的光电转换器

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Patent Title: PHOTODETECTOR CAPABLE OF DETECTING LONG WAVELENGTH RADIATION
Patent Title (中): 检测长波长辐射的光电转换器
Application No.: US14322695

Application Date: 2014-07-02
Publication No.: US20150333211A1

Publication Date: 2015-11-19
Inventor: Doyeol AHN
Applicant: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION
Main IPC: H01L31/112
IPC: H01L31/112 ; H01L31/18 ; H01L31/0232 ; G02B6/122 ; G02B6/13

PHOTODETECTOR CAPABLE OF DETECTING LONG WAVELENGTH RADIATION

Abstract:

Apparatuses capable of and techniques for detecting long wavelength radiation are provided.

Abstract(Chinese):

提供了能够检测长波长辐射的装置和技术。

Public/Granted literature

US09397249B2 Photodetector capable of detecting long wavelength radiation Public/Granted day:2016-07-19

Information query

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08	.其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10	..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/101	...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/112	....以场效应工作为特征的，如结型场效应光敏晶体管