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发明申请
US20160291097A1 TUNNELING MAGNETO-RESISTOR DEVICE FOR SENSING A MAGNETIC FIELD 有权
用于感测磁场的隧道磁电阻器件

  • 专利标题： TUNNELING MAGNETO-RESISTOR DEVICE FOR SENSING A MAGNETIC FIELD
  • 专利标题（中）： 用于感测磁场的隧道磁电阻器件
  • 申请号： US14967235
    申请日： 2015-12-11
  • 公开(公告)号： US20160291097A1
    公开(公告)日： 2016-10-06
  • 发明人: Keng-Ming Kuo , Ding-Yeong Wang
  • 申请人： Industrial Technology Research Institute
  • 优先权： TW104110195 20150330
  • 主分类号： G01R33/09
  • IPC分类号： G01R33/09
TUNNELING MAGNETO-RESISTOR DEVICE FOR SENSING A MAGNETIC FIELD
摘要：
A tunneling magneto-resistor (TMR) device for sensing a magnetic field includes a first TMR sensor having a first MTJ (magnetic tunneling junction) device and a second MTJ device connected in parallel. Each of the first and second MTJ devices has a pinned layer and a free layer. The pinned layer of each of the first and second MTJ devices has a pinned magnetization at a first pinned direction. The free layers of the first and second MTJ devices have a first free magnetization parallel to and a second free magnetization anti-parallel to a first easy-axis respectively.
摘要（中）：

用于感测磁场的隧道磁电阻器（TMR）装置包括具有并联连接的第一MTJ（磁性隧道结）装置和第二MTJ装置的第一TMR传感器。 第一和第二MTJ装置中的每一个具有钉扎层和自由层。 第一和第二MTJ装置中的每一个的钉扎层在第一钉扎方向上具有钉扎磁化。 第一和第二MTJ器件的自由层具有平行于第一容易轴的第一自由磁化和与第一容易轴平行的第二自由磁化。

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