- 专利标题： GAS SENSOR AND METHOD OF USING THE SAME
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申请号： US15854901申请日： 2017-12-27
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公开(公告)号： US20180136157A1公开(公告)日： 2018-05-17
- 发明人: Naoki HARADA , Shintaro SATO , Kenjiro HAYASHI , Junichi YAMAGUCHI
- 申请人： FUJITSU LIMITED
- 申请人地址： JP Kawasaki-shi
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki-shi
- 优先权： JP2015-131229 20150630
- 主分类号： G01N27/12
- IPC分类号： G01N27/12 ; G01N33/00
摘要：
A gas sensor includes: a semiconductor layer; a graphene film provided above the semiconductor layer and having at least a portion in contact with gas; and a barrier film between the semiconductor layer and the graphene film.
公开/授权文献
- US11156576B2 Gas sensor and method of using the same 公开/授权日：2021-10-26
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