发明申请
- 专利标题： Monoorganoaminodisilane Precursors and Methods for Depositing Films Comprising Same
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申请号： US16373919申请日： 2019-04-03
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公开(公告)号： US20190318925A1公开(公告)日： 2019-10-17
- 发明人: Xinjian Lei , Meiliang Wang , Madhukar B. Rao
- 申请人： Versum Materials US, LLC
- 申请人地址： US AZ Tempe
- 专利权人： Versum Materials US, LLC
- 当前专利权人： Versum Materials US, LLC
- 当前专利权人地址： US AZ Tempe
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C07F7/10 ; C23C16/34 ; C23C16/36 ; C23C16/50 ; C23C16/455
摘要：
Described herein are precursors and methods for forming silicon-containing films. In one aspect, there is provided a precursor of Formula I: as described herein.
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