- 专利标题： SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM REFLECTING MIRROR AND VERTICAL CAVITY LIGHT-EMITTING ELEMENT
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申请号： US16498385申请日： 2018-03-13
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公开(公告)号： US20210111538A1公开(公告)日： 2021-04-15
- 发明人: Tetsuya TAKEUCHI , Isamu AKASAKI , Kazuki KIYOHARA , Masaru TAKIZAWA , Ji-Hao LIANG
- 申请人： MEIJO UNIVERSITY , STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
- 申请人地址： JP Nagoya-shi, Aichi; JP Meguro-ku, Tokyo
- 专利权人： MEIJO UNIVERSITY,STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
- 当前专利权人： MEIJO UNIVERSITY,STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Nagoya-shi, Aichi; JP Meguro-ku, Tokyo
- 优先权： JP2017-060345 20170327
- 国际申请： PCT/JP2018/009656 WO 20180313
- 主分类号： H01S5/183
- IPC分类号： H01S5/183
摘要：
Included is a semiconductor multilayer film in which a non-doped InAlN layer and a GaN layer formed on said InAlN layer and containing a dopant are stacked a plurality of times.
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